Nadomestna vezava

Med ponorom in izvorom obstaja vec upornosti in prevodnosti. Prevodnosti imajo pri zaprtem transistorju kapacitiven znacaj. Kapacitete so:

• drain--source kapacitivnost
• gate--drain kapacitivnost (tudi imenovana Millerjeva kapacitivnost )
• gate--source kapacitivnost

 

Upornost plasti vrat je mocno odvisna od geometrije in je velikostnega razreda . Slika 4 prikazuje prerez tipicnega N-kanalnega transistorja za katerega lahko nastavimo ekvivalentno nadomestno vezavo, ki je prikazana na sliki 5.

 

Upornos med izvorom in ponorom pri popolnoma odprtih vratih je oznacena kot in je sestavljena iz upornosti epitaksialne plasti in upornosti kanala .

Pri nizkonapetostnih transisstorjih () dominira upornost kanala , medtem ko je pri visokonapetostnih transistorjih dominantna upornost epitaksialne plasti . Prikazana nadomestna vezavaj je le priblizek, sej moramo vedno imeti v mislih paralelno vezavo nekaj tisoc oznovnih celic, ki so prostorko pporazdeljene in odvisne od . Millerjeva kapacitivnost je najbolj napetostno odvisna. Slika 6 prikazuje odvisnost parazitnih kapacitivnosti od napetosti .

 

Slika 6: Odvisnost parazitnih kapacitivnosti v odvisnosti od napetosti

Prikazane kapacitivnosti so medsebojno povezane zato se v praksi uporabljajo skupne kapacitivnosti, za katere veljajo naslednje relacije:

Vhodna kapacitivnost

Milerjeva kapacitivnost

Izhodna kapacitivnost

Skupne kapacitivnosti so prikazane na sliki 7. Odvisnost kapacitivnosti je vedno podana za delovno tocko. Pri podajanju karakteristike se izkljucno podajajo skupne kapacitivnosti. V nadomestni vezavi se namesto parazitnega bipolarnega transistorja raje uporablja reverzna dioda.

 

Slika 7: Odvisnost skupnih kapacitivnosti od napetosti