Transistoji SIPMOS imajo vertikalno strukturo z dvojno implantacijo kanala. Tako govorimo tudi o DIMOS procesu.
V primeru N-kanalnega transistorja sluzi substrat 
kot
nosilec pod katerim se nahaja ponor. Na substrat je nanesena
epitaksialna plast spremenljive debeline. Potrebna debelina epitaksialne
plasti je odvisna od zaporne napetosti. Vrata (gate) iz polisilicija 
vgrajena v izolacijski silicijev dioksid, ki deluje kot implantacijska
maska za zaporno plast p (p-tub) in izvor 
(source).
Izvor prekriva celotno podrocje in povezuje posamezne celice transistorja na rezini v paralelno strukturo. V mocnostnih transistorjih SIPMOS je na rezini paralelno povezano do 6000 osnovnih celic.
Na sliki 2 je prikazana zgradba N-kanalnega SIPMOS
transistorja s plastmi in nekaj osnovnimi celicami. Metalizacija
izvora kratko sklene spoj baza--emitor parazitnega transistorja
, kar je nujno potrebno, da se prepreci vklop
tega transistorja pri prehodnih pojavih, kit so hitri dvizni
casi (
). Prehodni pojavi so pogosti tudi
pri hitrih komutacijskih ciklih na inverzni diodi, ki jo predstavlja
bazno--kolektorski spoj 
.
Na sliki 3 je prikazan prerez in nadomestna vezava SIPMOS transistorja. Vertikalna izgrandja transistorja omogoca optimalno izrabo povrsine rezine in dobro odvajanje transistorja. Dvojna implantacija zatradi kratkih dolzin kanala omogoca enakomerno porazdelitev toka med posamezne celice. Silicijeva rezina je pritrjena na ohisje s postopkom mehkega spajkanja, medtem ko so prikljucni kontakti pritrjeni z ultrazvokom. Prikljusni material je aluminij in je enak metalizaciji transistorja. Debelina prikljuckov je dolocena z maksimalnim dopustnim tokom skozi transistor.