Transistorji SIPMOS so zaradi svojih tehnoloskih lastnosti zelo robusti elektronski elementi. Podatki, ki jih proizvajalci navajajo so obicajno mejne vrednosti za delovanje elementa v nekem okolju in se jih ne sme prekoraciti niti v najslabsem moznem primeru. Primerjamo lahko dolocanje podrocja varnega med bipolarnim in SIPMOS transistorjem.
Eden od pomembnih stikalnih parametrov pri bipolarnem transistorju je
saturacijska napetost med kolektorjem in emitorjem 
, ki
je podan za vsiljen bazni tok 
in napetost 
. Pri
tem je podan tudi makzimalni ali trenutni (peak) tok in je
dolocen z maksimalno temperaturo spoja. Za zmanjsanje
bipolarnih se najveckrat pretirava z vecanjem
baznega toka, kar pa hkrati povecuje spominski cas 
bipolarnega transistorja[6]. Primer
krmiljenja baze hitrega bipolarnega transistoja kaze slika
11.
Za hitrejse praznenje baze se pri bipolarnih transistorjih
uporablja tudi negativna 
, ki pa je lahko pri napacni
izvedbi praznenja destruktivna za transistor.
Pri SIPMOS transistorjih, zaradi drugacnega principa delovanja, izhodni tok ni omejen z vhodnim, zato racunamo maksimalni dopustni tok glede na maksimalno dopustno temperaturo spoja[7,8]. Ta pa je visja, vecje ko je hladilno telo. Trenutno moc izracunamo z enacbo
Disipacija moci na hladilnem telesu je:
kjer je 
najvisja dovoljena temperatura spoja, 
temperatura ohisja in 
toplotna upornost za
spoj--ohisje.
Iz enacb (1) in (2) lahko zapisemo enacbo za maksimalni tok ponora
Enacba (3) mora biti zagotovljena vedno, kar v
stacionarnih stanjih niti ni tako tezko doseci. Vecji
problem pri zagotavljanju temperature spoja 
so preklopni
casi pri induktivnih bremenih, kjer si pomagamo z vezji, ki pri
preklopih prevzemajo energijo prehodnih pojavov (snubber
network)[6].
