Brez poznavanja lastnosti mocnostnih MOS transistojev si ni mogoce zamisljati uspesneka konstruiranja novih stikalnih modulov. V pregledu so bile prikazane lastnosti in bistvene prednosti transistorjev SIPMOS, ki prekasajo bipolarne trasistorje v vseh stikalnih aplikacijah, zaradi svoje cenenosti in enostavnosti uporabe. Prikazano je nekaj zanimivih aplikacij v katerih so bile odpravljene slabosti posameznih elementov vezja.
Mocnostne transistorje MOSFET danes izdeluje vecina proizvajalcev. Najdemo jih v prav vseh elektronskih napravah. Z uvajanjem pametnih mocnostnih elementov se bo konstrukcija novih vezij se bolj poenostavila, saj se taki elementi sami scitijo proti vsem nepredvidenim dogodkom, ki jih najveckrat konstrukterji zaradi varcevanja zavestno izkljucujejo. S pametnimi transistorji pa to ni vec potrebno.
Z razvojem litografske tehnologije se izboljsujejo tudi lastnosti novih elementov. Ce je bila vcasih frekvencna meja primernosti uporabe IGBT-jev 30 kHz, se je danes ta meja gotovo zvecala za 10 kHz in vec. Spremljanje razvoja novih elektronskih komponent je tako pogoj za uspesen razvoj.